Goldman Sachs Korea Speicherexperten-Telefonkonferenz: DRAM-Preise steigen dieses Jahr weiter, nächstes Jahr explodieren die HBM-Preise, langfristige Verträge decken einen noch größeren Anteil ab

Goldman Sachs veranstaltete am 28. Juli ein südkoreanisches Expertennetzwerk-Webinar zum Thema Speicher und veröffentlichte am 29. Juli das Protokoll. Die teilnehmenden Experten sind der Ansicht, dass die Preise für traditionelle DRAM in diesem Jahr ihr starkes Wachstum im "zweistelligen Prozentbereich" fortsetzen werden, während bei HBM im nächsten Jahr ein erheblicher Preisanstieg, sogar eine Verdopplung, möglich ist. Die Bindungskraft langfristiger Verträge nimmt zu und die Bedrohung durch chinesische Wettbewerber ist kurzfristig und mittelfristig begrenzt. Goldman Sachs hält die Kaufempfehlung für Samsung Electronics aufrecht.

DRAM setzt Preisanstieg dieses Jahr fort, HBM könnte nächstes Jahr sich verdoppeln

Die Experten haben einen klaren Ausblick auf die DRAM-Preisentwicklung für dieses Jahr gegeben.

Laut dem Protokoll erwarten die Experten, dass die Preise für traditionelle DRAM im dritten Quartal 2026 ein "zweistelliges prozentuales" Wachstum im Quartalsvergleich erreichen werden, was mit der jüngsten kräftigen Erholung der Spotpreise übereinstimmt. Im vierten Quartal, unterstützt durch anhaltende Angebotsknappheit, halten die Experten ein weiteres "zweistelliges Quartalswachstum" ebenfalls für möglich.

Sie gehen davon aus, dass auf der Angebotsseite kein signifikanter Zuwachs zu verzeichnen ist, während die Nachfrage durch AI-Server weiterhin angekurbelt wird, sodass die Preise tendenziell eher steigen als fallen.

Die HBM-Entwicklung ist noch aggressiver. Die Experten meinen, dass aufgrund des Anstiegs der traditionellen DRAM-Preise die HBM-Preise im nächsten Jahr "sich möglicherweise verdoppeln können". Goldman Sachs selbst prognostiziert: Die Preise für Samsung HBM werden 2027 gegenüber dem Vorjahr um 87 % steigen—dieser Wert liegt bereits über der von Bloomberg zusammengefassten durchschnittlichen Analystenerwartung von 52 %.

Langfristige Bindungen gewinnen an Kraft, über die Hälfte der Server-DRAM bereits gesichert

Ob die Preise realisiert werden können, hängt davon ab, ob die Verträge eingehalten werden.

Laut Protokoll beinhalten langfristige Verträge (LTA) mehrere starke Bindungsklauseln: hohe Vorauszahlungen, "Abnahme-oder-Zahlung"-Klauseln (take-or-pay) und Vertragsstrafen für Stornierungen. Das heißt, für Käufer ist es nach Vertragsabschluss sehr teuer, auszusteigen.

Derzeit sind mehr als die Hälfte der Server-DRAM durch LTA abgedeckt; Experten erwarten, dass dieser Anteil in Zukunft weiter steigen wird.

Was bedeutet das für Speicherhersteller? Höhere Planungssicherheit beim Umsatz, stärkere Verhandlungsposition bei Preisen. Goldman Sachs betont in seinem Investment Case, dass die Bindungskraft der aktuellen LTAs stärker ist als in der Vergangenheit und dies Samsung bei der Gewinnerwartung unterstützt.

Chinesische Hersteller stellen kurzfristig und mittelfristig keine Bedrohung dar

Der Markt sorgt sich stets über die Auswirkungen der Kapazitätsausweitung chinesischer Speicherhersteller, aber die Experten sind diesbezüglich zurückhaltend.

Laut Protokoll bestätigen die Experten, dass chinesische Anbieter aktiv expandieren, halten aber ihre "Wahrscheinlichkeit, kurzfristig oder mittelfristig eine signifikante Bedrohung für führende Hersteller darzustellen, für gering". Grund dafür: Chinesische Hersteller liegen bei Produktionsertrag und technischer Kompetenz immer noch hinter den Top-Anbietern zurück.

Mit anderen Worten heißt Kapazitätsausweitung nicht automatisch effektives Angebot; kurzfristig sind Technologiemauern schwer zu überwinden.

Kapazität wächst schnell, aber effektive Bit-Zunahme bleibt begrenzt

Die Kapazität wächst, aber tatsächlich erhöht sich das Angebot nicht proportional.

Laut Protokoll erwarten die Experten, dass die Kapazitätsausweitung dieses Jahr das historische Niveau übertrifft. Allerdings beansprucht HBM einen höheren Anteil an Wafern (trade ratio)—die Produktion derselben Menge HBM verbraucht mehr DRAM-Wafer—daher wird das tatsächliche Bit-Wachstum voraussichtlich unter dem historischen Durchschnitt liegen.

Das ist der Schlüssel zum Verständnis der aktuellen Angebots-Nachfrage-Situation: Oberflächlich gesehen wächst die Kapazität, aber das effektive Angebot für traditionelle DRAM nimmt nicht synchron zu—das ist der strukturelle Grund für den anhaltenden Preisanstieg.

Hybrid Bonding Technologie: Schrittweise Einführung, keine Durchbruch-Revolution

Im Bereich der HBM-Technologie wird Hybrid Bonding als nächster Schritt betrachtet, aber die Experten sehen den Einführungstakt vorsichtig.

Laut Protokoll glauben die Experten, dass mit zunehmender Stapelung der DRAM-Chips die Herausforderungen an existierende Bonding-Technologien wachsen. Zugleich erwarten sie nicht, dass Hybrid Bonding vorzeitig flächendeckend zum Einsatz kommt, da "in Produktion auf großem Maßstab eine ausreichende Ausbeute viel Zeit und Anstrengung erfordert".

Die Experten gehen davon aus, dass Speicherhersteller verschiedene technologische Wege—darunter auch Fluxless Bonding—erkunden und die Einführung von Hybrid Bonding schrittweise und nicht abrupt umsetzen werden.

Auf dieser Grundlage hält Goldman Sachs die Kaufempfehlung für die Stammaktien von Samsung Electronics aufrecht, das 12-Monats-Kursziel liegt bei 480.000 KRW, das Ziel für Vorzugsaktien bei 360.000 KRW.

Der Bericht betont, dass Samsung im HBM-Bereich bereits "signifikante Fortschritte" zeigt und zusammen mit höheren Erwartungen an die Aktionärsrendite die positive Sicht auf die Aktie beibehalten wird. Hauptrisiken bleiben: eine deutliche Verschlechterung von Angebot und Nachfrage bei Speicher, massiv sinkende Margen im Smartphone-Geschäft sowie ein Verlust von Marktanteilen bei mobilen OLEDs.