Navitas presenta la quinta generación de tecnología SiC Trench-Assisted Planar (TAP)

La última tecnología GeneSiC™ de 5ta Generación Trench-Assisted Planar (TAP) SiC MOSFET ofrece mejoras significativas en rendimiento, fiabilidad y robustez para centros de datos de IA, infraestructura energética y de red, así como para la electrificación industrial.

TORRANCE, Calif., 12 de febrero de 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), líder de la industria en semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) GaNFast™ y carburo de silicio (SiC) GeneSiC™, anunció hoy el lanzamiento de su plataforma tecnológica GeneSiC de 5ta generación. La tecnología MOSFET SiC Trench-Assisted Planar (TAP) de Alto Voltaje (HV) representa un salto tecnológico significativo respecto a las generaciones previas y permitirá ofrecer una línea de MOSFETs líder en la industria de 1200V. Esta tecnología complementa las soluciones de ultra alto voltaje (UHV) de 2300 V y 3300 V de la plataforma GeneSiC de 4

generación, extendiendo el liderazgo de Navitas en centros de datos de IA, infraestructura energética y de red, y electrificación industrial.

La plataforma MOSFET de 5

generación presenta la arquitectura TAP más compacta hasta ahora de Navitas, combinando la robustez de una compuerta planar con los mejores índices de rendimiento del mercado, habilitados por una estructura tipo trench en la región de la fuente, mientras también eleva la eficiencia y fiabilidad a largo plazo en aplicaciones de electrónica de potencia de alto voltaje.

La plataforma de 5

generación logra un nuevo estándar en conversión de energía con una mejora del 35% en la métrica de mérito R × Q (FoM), comparado con la tecnología anterior de 1200 V. Esta mejora reduce significativamente las pérdidas por conmutación, permitiendo una operación más fría y a frecuencias más altas en etapas de potencia exigentes.

La conmutación a alta velocidad se refuerza aún más con una mejora de ~25% en la relación Q

/ Q . Cuando se combina con una especificación estable de alto voltaje umbral (V ≥ 3V), esta tecnología garantiza inmunidad contra encendidos parasitarios, proporcionando un control de compuerta robusto y predecible incluso en entornos de alto ruido.

La tecnología de 5

generación ofrece mejoras significativas en el rendimiento dinámico al optimizar la característica R × E e integrando una tecnología de “Soft Body-Diode” para mejorar la estabilidad del sistema minimizando la interferencia electromagnética (EMI) y garantizando una conmutación más suave durante ciclos de alta velocidad.

La calificación de grado AEC-Plus para esta generación garantiza estabilidad y durabilidad a largo plazo para aplicaciones en centros de datos de IA y en infraestructura energética y de red. Los principales puntos de referencia de fiabilidad incluyen:

• Pruebas de estrés extendidas: duración 3 veces mayor en pruebas estáticas de alta temperatura y alto voltaje (HTRB, HTGB y HTGB-R).
• Pruebas avanzadas de fiabilidad en conmutación: polarización inversa dinámica (DRB) y conmutación dinámica de compuerta (DGS), representando perfiles de misión de aplicación de conmutación rápida exigentes.
• Estabilidad líder en la industria: menor desplazamiento de V
  GS,T
  H
  durante largos períodos de estrés de conmutación, para una eficiencia estable a largo plazo.
• Fiabilidad extrema del óxido de compuerta: tiempo de fallo extrapolado del óxido de compuerta superior a 1 millón de años a V
  GS
  de operación a 18V y 175°C.
• Mayor resistencia a rayos cósmicos: tasas de FIT (Failure In Time) excepcionalmente bajas, garantizando fiabilidad crítica en entornos de gran altitud y alta disponibilidad.
  

"Nuestros clientes están redefiniendo los límites de la conversión de energía en centros de datos de IA e infraestructura energética, y Navitas los acompaña en cada paso del camino", afirmó Paul Wheeler, VP y Gerente General de la Unidad de Negocios SiC de Navitas. Agregó: “las mejoras tecnológicas significativas en nuestra tecnología GeneSiC de 5

generación refuerzan el compromiso de Navitas de ofrecer el mejor desempeño y fiabilidad de la industria en MOSFETs de carburo de silicio."

Un white paper sobre la tecnología Trench-Assisted Planar está disponible para descarga gratuita en el sitio web de Navitas.

Navitas anunciará nuevos productos en esta plataforma tecnológica de 5

generación durante los próximos meses. Para más información sobre esta tecnología, comuníquese con su Representante de Navitas o escriba a .

*Navitas utiliza el término ‘AEC-Plus’ para indicar partes que superan los estándares AEC-Q101 y JEDEC para pruebas de fiabilidad, en base a los resultados de pruebas de Navitas.

Sobre Navitas
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) es líder de nueva generación en semiconductores de potencia en tecnología de nitruro de galio (GaN) y dispositivos integrados IC, así como en carburo de silicio (SiC) de alto voltaje, impulsando la innovación en centros de datos de IA, computación de alto rendimiento, infraestructura energética y de red, y electrificación industrial. Con más de 30 años de experiencia combinada en tecnologías de banda ancha prohibida, los circuitos integrados de potencia GaNFast™ integran potencia GaN, controladores, control, sensado y protección, brindando entrega de energía más rápida, mayor densidad del sistema y mayor eficiencia. Los dispositivos SiC GeneSiC™ de alto voltaje aprovechan la tecnología patentada trench-assisted planar para proveer capacidad de voltaje, eficiencia y fiabilidad líderes en la industria para aplicaciones de red e infraestructura de voltaje medio. Navitas cuenta con más de 300 patentes emitidas o en trámite y es la primera empresa mundial de semiconductores certificada como CarbonNeutral

.

Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, GaNSafe, GeneSiC y el logo de Navitas son marcas comerciales o registradas de Navitas Semiconductor Limited o sus afiliados. Todas las demás marcas, nombres de productos y distintivos son o pueden ser marcas comerciales o registradas utilizadas para identificar productos o servicios de sus respectivos propietarios.