Relatos indicam que a Samsung Electronics vai interromper a produção de 2D NAND flash, e as linhas de produção existentes serão usadas para fabricar memórias DRAM em processo de 1c nm.

Gelonghui, 26 de fevereiro｜De acordo com TheElec, a Samsung Electronics poderá encerrar já em março deste ano a produção de memória flash 2D NAND na linha 12 do complexo de Hwaseong, marcando oficialmente o fim da era da 2D NAND para a empresa. A Samsung Electronics já havia iniciado a produção em massa da 3D NAND (V-NAND) em 2013, mas manteve uma capacidade limitada de produção de 2D NAND para atender demandas de nichos específicos. No futuro, a linha 12 de Hwaseong será dedicada à fabricação de memória DRAM de 1c nm, responsável pelos processos de interconexão metálica e tratamento de superfície na etapa final.