Solaris Energy Infrastructure aksiyalari bir kechada 12% dan ortiq oshdi - Sababi mana bu yerda
Solaris Energy Infrastructure Inc. (NYSE:SEI) aksiyalari payshanba kuni soatlik savdoda 12,26% ga oshib, $57,78 ga yetdi.
Benzinga Pro ma'lumotlariga ko'ra, aksiyalar odatdagi sessiyani $51,47 da, ya'ni 4,21% pasayish bilan yakunladi.
Texnologiya kompaniyasi bilan tuzilgan kelishuv tafsilotlari oshkor qilindi
Solaris Power Solutions LLC, Solaris Energy Infrastructure kompaniyasining bilvosita sho‘ba korxonasi, payshanba kuni Delaware shtatida ro‘yxatdan o‘tgan Hatchbo LLC bilan Asosiy Uskunalar Ijarasi Bitimini imzoladi, bu haqda Qimmatli qog‘ozlar va birja komissiyasiga taqdim etilgan hisobotda aytiladi.
Bitimga ko‘ra, Solaris Power Solutions Hatchbo kompaniyasining ma’lumot markazlaridagi sun’iy intellekt hisoblash ehtiyojlarini qo‘llab-quvvatlash uchun 500 megavattdan ortiq elektr energiyasi ishlab chiqarish uskunalarini ta’minlaydi.
10 yillik ijara muddati erta bekor qilish shartlarini o‘z ichiga oladi
Hisobotga ko‘ra, dastlabki ijara muddati 2027 yil 1 yanvarda boshlanadi va o‘n yil davom etadi yoki tomonlar o‘rtasida elektr energiyasi sotib olish bo‘yicha shartnoma tuzilgunga qadar, qaysi biri birinchi bo‘lsa.
Hisobotda, shuningdek, Hatchbo tomonidan erta bekor qilish uchun 30 kun oldin xabarnoma, mavjud bo‘lgan hech qanday defolt bo‘lmasligi va qolgan ijara to‘lovlarining 50% to‘lanishi talab qilinadi, deb ko‘rsatilgan.
Alohida ravishda, Nyu-Yorkda joylashgan moliyaviy xizmatlar kompaniyasi Voya Financial Inc. Solaris Energy Infrastructure kompaniyasidagi 5,2% ulushini, ya’ni 2,54 million dona aksiyani egallaganini SEC hisobotida ma’lum qildi.
Savdo ko‘rsatkichlari, texnik tahlil
Solaris Energy Infrastructure nisbiy kuch indeksi (RSI) 48,33 ga teng.
Texasda joylashgan elektr energiyasi ishlab chiqarish va taqsimlash bo‘yicha maxsus yechimlar kompaniyasining bozor kapitallashuvi $3,52 milliardni tashkil etadi, 52 haftalik eng yuqori narxi $59,80, eng past narxi esa $14,27.
SEI so‘nggi 12 oy ichida 88,74% ga o‘sdi.
Aksiya 52 haftalik eng past narxidan taxminan 81,7% yuqorida savdo qilinmoqda.
SEIning uzoq muddatli tendensiyasi va kuchli pozitsiyasi davom etayotgan o‘sishini ko‘rsatib turibdi.
Kuchli 95-percentil impuls ko‘rsatkichi bilan, Benzinga’s Edge Stock Rankings SEI barcha vaqt oralig‘ida ijobiy narx trendiga ega ekanligini ko‘rsatadi.
Foto: Xharites, Shutterstock.com orqali
Mas'uliyatni rad etish: Ushbu maqolaning mazmuni faqat muallifning fikrini aks ettiradi va platformani hech qanday sifatda ifodalamaydi. Ushbu maqola investitsiya qarorlarini qabul qilish uchun ma'lumotnoma sifatida xizmat qilish uchun mo'ljallanmagan.
Sizga ham yoqishi mumkin
AQSh fond bozori CAPE ko'rsatkichi internet pufagi eng yuqori cho'qqisiga yaqinlashmoqda, yuqorida sotib olish yoki tuzatishni kutish kerakmi? Tarixiy ma'lumotlar javob beradi
Bir muhim baholash ko‘rsatkichi ogohlantirish signalini bermoqda.
Goldman Sachs global yarimo'tkazgich zavodlari uskunalariga sarf-xarajatlar prognozini sezilarli oshirdi: saqlash va ilg‘or tayyorlash asosiy dvigatelga aylanmoqda
Goldman Sachs ning so‘nggi hisobotiga ko‘ra, 2026-2028 yillarda global plastinka zavodlari jihozlariga sarf qilinadigan mablag‘ prognozi ancha oshirildi: mos ravishda 150 milliard, 218 milliard va 281 milliard dollar. O‘sish sur’ati avvalgi taxminlardan ancha yuqori. TSMC ning N2 texnologiyasi kengaytirilmoqda, Samsung va SK Hynix HBM4 ga katta mablag‘ tikmoqda, SpaceX va Tesla ning Terafab loyihasi 16,8 milliard dollar va’da qilmoqda. Ko‘plab drayverlar uyg‘unlashuvi natijasida yarim o‘tkazgich kapital sarfi sikli 2028 yilgacha uzluksiz davom etishi kutilmoqda.
Besentning "quasi-QE" yon ta’siri yanada ravshanlashmoqda! Xedj fondlar dollar zaiflashuviga kuchliroq tikish o‘ynayapti, yanada katta hajmdagi obligatsiya xarid qilish rejasiga qarshi choralar ko‘rmoqda
Bayesente tomonidan ko'proq moliyaviy rejalar e'lon qilinishidan oldin, xedj-fondlar dollar bo'yicha qisqa pozitsiyalarini oshirdi.
Samsung “Uch bosqichli HBM yo‘l xaritasi”ni tuzdi: haqiqiy 3D ZHBM sari qadam, DRAM to‘g‘ridan-to‘g‘ri hisoblash chiplariga ustma-ust joylashtiriladi
Samsung Hot Chips anjumanida uch bosqichli HBM rivojlanish yo‘l xaritasini taqdim etdi, bunda asosiy maqsad DRAMni hisoblash chipining ustiga vertikal ravishda joylashtirilgan "zHBM" arxitekturasini joriy etishdir. Samsungning so‘zlariga ko‘ra, zHBM HBM4E bilan solishtirganda 70% quvvat sarfini kamaytirishi, 230% kengaytirilgan o‘tkazuvchanlikni ta’minlashi va GPU uchun qo‘shimcha 100 Vt issiqlik quvvatini bo‘shatishi mumkin.
Kripto narxlari
Ko'proq
