Samsung và SK Hynix tăng cường sản xuất NAND tại Trung Quốc, các khoản đầu tư vào nhà máy ở Tây An và Đại Liên sẽ lần lượt được triển khai trước năm sau

Samsung Electronics và SK Hynix đang tăng tốc củng cố sản xuất bộ nhớ NAND ở Trung Quốc, hai ông lớn lưu trữ của Hàn Quốc dự kiến sẽ hoàn thành dần dần một vòng đầu tư thiết bị mới trước năm sau, nhằm đáp ứng sự tăng vọt nhu cầu lưu trữ cao cấp được thúc đẩy bởi các máy chủ AI.

Theo báo cáo từ ZDnet vào thứ Ba, theo các nguồn tin trong ngành, Samsung Electronics đã cụ thể hóa kế hoạch chuyển đổi đầu tư thế hệ thứ chín NAND tại nhà máy Tây An ở Trung Quốc và xác nhận phương án đầu tư bổ sung, các đơn đặt hàng mua thiết bị liên quan dự kiến sẽ được thực hiện trước cuối năm nay, đầu tư bổ sung sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm sau. SK Hynix đã bắt đầu từ quý III năm nay đầu tư thiết bị tại nhà máy thứ hai ở Đại Liên cho việc nâng cấp sản phẩm NAND, với quy mô công suất mục tiêu khoảng 30 nghìn tấm wafer mỗi tháng.

Kế hoạch đầu tư này cho thấy cả hai doanh nghiệp đang xác lập dây chuyền sản xuất tại Trung Quốc là trụ cột quan trọng cho sản xuất hàng loạt bộ nhớ NAND cao cấp. Khi việc xây dựng hạ tầng AI tăng tốc, nhu cầu thị trường đối với NAND tiên tiến tiếp tục mở rộng, vòng mở rộng sản xuất tại Trung Quốc này được kỳ vọng sẽ tiếp tục nâng cao năng lực cung ứng sản phẩm cao cấp của hai doanh nghiệp.

Nhà máy Samsung Tây An: Mở rộng dần năng lực sản xuất V9 NAND

Trong nửa đầu năm nay, Samsung Electronics đã bắt đầu đầu tư chuyển đổi V9 NAND trên dây chuyền sản xuất X2 ở Tây An. V9 NAND sử dụng kiến trúc xếp chồng 280 lớp, là sản phẩm NAND tiên tiến nhất hiện nay, công suất dự kiến của dây chuyền này sẽ đạt 40 đến 50 nghìn tấm wafer mỗi tháng.

Để tiếp tục củng cố khả năng sản xuất ổn định V9 NAND, gần đây Samsung Electronics đã xác định kế hoạch đầu tư bổ sung cho nhà máy này, trong đó trọng tâm là bổ sung thêm thiết bị công nghệ khắc. Quá trình khắc là khâu then chốt trong sản xuất NAND — do bộ nhớ NAND cần xếp chồng hàng trăm lớp tế bào lưu trữ, phải khắc các kênh rất sâu trên wafer, yêu cầu độ chính xác và độ sâu của công nghệ khắc cực cao.

Theo các chuyên gia trong ngành, Samsung Electronics dự kiến sẽ thực hiện đầu tư bổ sung này vào nửa cuối năm sau, các đơn hàng mua thiết bị liên quan dự kiến sẽ hoàn tất trước cuối năm nay. Nguồn tin này cho biết, Samsung sẽ mở rộng dần công suất sản xuất NAND tiên tiến tại Trung Quốc trong hai năm tới, nguyên nhân trực tiếp là do nhu cầu đối với NAND cao cấp trong các ứng dụng như máy chủ AI đang tăng trưởng mạnh mẽ.

Nhà máy SK Hynix Đại Liên: Tăng tốc đầu tư dây chuyền sản xuất mới

Về phía SK Hynix, công ty đã bắt đầu từ quý III năm nay đầu tư thiết bị tại nhà máy thứ hai ở Đại Liên, mục tiêu là nâng cấp công nghệ sản phẩm NAND tại địa phương. Được biết, quy mô đầu tư đang được thảo luận hiện tại tương ứng với công suất sản xuất khoảng 30 nghìn tấm wafer mỗi tháng, các khoản đầu tư liên quan sẽ tiếp tục được triển khai đến năm sau.

Đợt đầu tư này tại nhà máy Đại Liên đánh dấu việc SK Hynix chính thức bước vào giai đoạn tăng tốc xây dựng năng lực sản xuất NAND ở Trung Quốc, nhịp mở rộng sản xuất đồng bộ với Samsung Tây An, cùng nhau trở thành động thái quan trọng giúp hai doanh nghiệp lưu trữ Hàn Quốc đáp ứng sự mất cân đối nguồn cung cầu NAND cao cấp toàn cầu.