سامسونج تكش ف عن خارطة طريق الجيل القادم للتخزين: أداء HBM5 يعادل ضعف HBM4E، وzHBM يعزز الأداء بثمانية أضعاف
تمت ترقية عملية تصنيع الرقائق الأساسية لـ HBM5 إلى 2 نانومتر، بهدف تحقيق أداء يعادل ضعف HBM4E، مع تحسين الأداء لكل واط بنسبة 20%، وتقليل المقاومة الحرارية بنسبة 20%، ومن المتوقع أن يبدأ الإنتاج الضخم في عام 2028. أما الهيكلية الجديدة zHBM فتهدف إلى تحقيق أداء يعادل ثمانية أضعاف HBM4E، مع زيادة الأداء لكل واط بمقدار ثلاث مرات، وتقليل المقاومة الحرارية بنسبة تتراوح بين 75% و90%، ومن المتوقع طرحها بعد عام 2029.
كشفت سامسونج إلكترونيكس في معرض SEMICON Taiwan 2026 عن خارطة الطريق التقنية التفصيلية للجيل الجديد من وحدات التخزين ذات النطاق الترددي العالي (HBM) وبنية التخزين التالية، بما يشمل تقنيات متقدمة مثل HBM5، وzHBM، وzNAND-O، مما يُظهر نية عملاق التخزين الكوري في تعزيز موقعه الطويل الأمد في سوق بنية تحتية الذكاء الاصطناعي للتخزين.
قال جانغسوك تشوي، نائب رئيس تخطيط منتجات التخزين في سامسونج، خلال الفعالية التي عُقدت في 1 سبتمبر، إن HBM5 تستهدف تحقيق ضعف أداء HBM4E، مع زيادة أداء الطاقة بنسبة 20%، وتقليل المقاومة الحرارية بنسبة 20%. وكانت سامسونج قد كشفت سابقًا عن بعض التطورات ذات الصلة في مؤتمر Hot Chips 2026 في أغسطس.
كما أعلنت سامسونج أنها تطور بنية جديدة بالكامل باسم zHBM، بهدف تحقيق أداء يساوي 8 مرات HBM4E، وزيادة أداء الطاقة بمقدار 3 مرات، مع تقليل المقاومة الحرارية بما يتراوح بين 75% إلى 90%.
تأتي هذه الترقيات التقنية استجابة مباشرة لازدياد متطلبات النطاق الترددي والتبريد الناتجة عن التوسع السريع لقدرات الذكاء الاصطناعي، وتشكل مرجعًا مهمًا لسلسلة توريد شرائح الذكاء الاصطناعي والاستثمارات المرتبطة بالبنية التحتية ذات الصلة.
HBM5: ترقية التصنيع إلى 2 نانومتر، والإنتاج الضخم متوقع في 2028
وفقًا للتقارير، يستهدف HBM5 ضعف أداء HBM4E مع تحسينات ملحوظة في كفاءة استهلاك الطاقة وإدارة الحرارة. رفعت سامسونج تقنية تصنيع رقاقة الأساس (base die) لـ HBM5 من 4 نانومتر في HBM4 وHBM4E إلى عقدة 2 نانومتر التي طورتها الشركة، ما يمثل خطوة هامة في تقنيات تصنيع HBM.
من حيث عدد الطبقات، تعد سامسونج ثلاث استراتيجيات تكديس DRAM لـ HBM5: 12 طبقة، 16 طبقة، و20 طبقة، لتلبية متطلبات السعة والأداء في سيناريوهات الاستخدام المختلفة. من المقرر أن يبدأ الإنتاج الضخم بعد HBM4E، تقريبًا بحلول عام 2028.
وتعد ميزة تقليل المقاومة الحرارية بنسبة 20% أمرًا حيويًا—مع استمرار ارتفاع استهلاك معجلات الذكاء الاصطناعي للطاقة، أصبحت قدرة HBM على التبريد عنق زجاجة للأنظمة، ويساعد هذا التحسين في الحفاظ على استقرار تشغيل أنظمة الحوسبة عالية الأداء.
zHBM: بنية ثورية، التخزين مكدس مباشرة فوق المعالج
تعتبر سامسونج zHBM بنية جديدة مختلفة تمامًا عن HBM التقليدي. في HBM التقليدي، يتم وضع الذاكرة إلى جانب معجل الذكاء الاصطناعي (xPU)، بينما في zHBM يتم تكديس الذاكرة مباشرة فوق المعالج، ما يقلل بشكل كبير مسار نقل البيانات لتحقيق نطاق ترددي أعلى وكفاءة أفضل في استهلاك الطاقة.
تهدف سامسونج إلى أن تصل zHBM إلى 8 أضعاف أداء HBM4E، وزيادة أداء الطاقة إلى 3 أضعاف، مع تقليل المقاومة الحرارية بنسبة تتراوح بين 75% إلى 90%. وإذا تحققت هذه القفزة في الأداء، فستحدث تحولاً جذريًا في كثافة النطاق الترددي وكفاءة الطاقة مقارنة بالبنية الحالية لـ HBM.
من المتوقع طرح zHBM بعد عام 2029، كجزء من احتياطي سامسونج التقني طويل الأمد.
zNAND-O: سرعة مقاربة لـDRAM بكثافة NAND
في مجال تخزين NAND، أطلقت سامسونج اتجاهًا تقنيًا استشرافيًا كذلك. من المقرر أن يبدأ إرسال عينات zNAND-O في عام 2028، بهدف تحقيق كثافة تخزين تساوي 10 أضعاف DRAM، ومعادلة 7 أضعاف نطاق الترددي وكفاءة استهلاك الطاقة مقارنة بـNAND.
صُمم هذا الحل لتلبية احتياج الذكاء الاصطناعي التوليدي ونماذج اللغة الكبيرة (LLM) لـ"سرعة على مستوى DRAM وسعة على مستوى NAND"—ومع استمرار زيادة حجم النماذج، أصبح التوازن بين السرعة والسعة في بنى التخزين الحالية عنق زجاجة تعرقل كفاءة الاستدلال والتدريب للذكاء الاصطناعي.
استراتيجية CUBE: السعة، الاستخدامية، النطاق الترددي والكفاءة في آنٍ واحد
خلال قمة Memory Executive Summit التي أقيمت بالتزامن مع SEMICON Taiwan 2026، عرضت سامسونج بإطار نظري استراتيجي يُعرف باسم "CUBE".
صرّح جانغسوك تشوي أن الاستراتيجية تركز على أربع أولويات أساسية: السعة (Capacity)، الاستخدامية (Utilization)، النطاق الترددي (Bandwidth)، والكفاءة (Efficiency).
على مستوى السعة، تخطط سامسونج لتوسيع التخزين رأسيًا لزيادة الكثافة دون زيادة المساحة المستخدمة على لوحة الدائرة المطبوعة (PCB)؛
أما من حيث الاستخدامية، فتحدد قيمة الذاكرة ثلاثية الأبعاد بما يتجاوز مجرد زيادة عدد الطبقات، من خلال تحسين بنية منطق النظام والذاكرة لتقليل التأخير؛
وبالنسبة للنطاق الترددي، تخطط سامسونج لاستبدال مسارات البيانات الأفقية بقنوات عمودية عالية السرعة لتقصير المسافة بين الشرائح؛
وعلى مستوى الكفاءة، تركز الاستراتيجية على استهلاك الطاقة وإدارة الحرارة لتقليل الطاقة المستهلكة لنقل كل بت من البيانات وزيادة أداء الطاقة إلى أقصى حد.
تقديم إطار عمل CUBE يعني أن سامسونج تحاول توجيه تطوير الجيل القادم من منتجات التخزين بفكر معماري شامل، بدلاً من البحث عن اختراقات في مؤشر منفرد فقط.
إخلاء المسؤولية: يعكس محتوى هذه المقالة رأي المؤلف فقط ولا يمثل المنصة بأي صفة. لا يُقصد من هذه المقالة أن تكون بمثابة مرجع لاتخاذ قرارات الاستثمار.
You may also like
البنية التحتية للذكاء الاصطناعي قد تكلف حتى 5.5 تريليون دولار، جي بي مورغان: سوق السندات قادر على استيعاب موجة إصدار الديون، وعمالقة التكنولوجيا لا يزال بإمكانهم زيادة الرافعة المالية
مع اندفاع عمالقة التكنولوجيا لإصدار السندات من أجل بناء مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، بدأ السوق يشعر بالقلق بشأن ما إذا كان سوق السندات الأمريكية ذات الدرجة الاستثمارية قادرًا على استيعاب الإمدادات المتزايدة من الديون.
أطلقَت Anthropic إصدار Fable 5.1: تخفيضات تصل إلى 75%، وتعزيز قدرات البرمجة والبحث العلمي
التغيير الرئيسي في Fable 5.1 هو تخفيض رسوم "ضربات التخزين المؤقت" بنسبة كبيرة تصل إلى 75%، حيث أشارت الشركة إلى أن هذا سيؤدي إلى "انخفاض كبير" في التكاليف العامة. بالإضافة إلى خفض الأسعار، تم تحسين النموذج الجديد نفسه ليُنجز نفس المهام باستخدام عدد أقل من التوكنات. كما أصبح من الممكن الآن للبيانات أن تبقى محفوظة على السحابة الخاصة بالعميل، وذلك استجابة لمتطلبات بعض الشركات التي تشترط سيادة صارمة على البيانات.
اجتماع بيستنت مع محافظ بنك اليابان يبعث برسالة قوية: الولايات المتحدة تدعم قوة الين الياباني وتؤكد على تجنب تقلبات سعر الصرف المفرطة
وفقًا لمحضر الاجتماع الصادر عن وزارة الخزانة الأمريكية، دعمت وزيرة الخزانة الأمريكية بيسينت بقوة اتخاذ اليابان تدابير حاسمة في السوق والسياسة النقدية لمواجهة مشكلة التقييم المنخفض بشكل واضح للين الياباني خلال لقائها مع كازو أويدا الأسبوع الماضي. وأشارت إلى أن ضعف الين يزيد من ضغوط التضخم داخل اليابان. وذكرت وسائل الإعلام اليابانية أن مسؤولين أمريكيين قالوا إن بيسينت دعت اليابان إلى رفع أسعار الفائدة بشكل أكبر خلال لقائها مع أويدا. وتتوقع الأسواق أن احتمالية رفع البنك المركزي الياباني لأسعار الفائدة في سبتمبر قد اقتربت من 100%.
أسعار العملات المشفرة
المزيد
