"Gli ordini mantengono le aspettative, ma la fiducia è già stata rivalutata" Bank of America: La collaborazione tra i tre giganti di ASML consolida la roadmap High-NA a lungo termine
Martedì, ASML (ASML.US) è diventata il punto focale del mercato, con Bank of America che ha elogiato l'accordo aggiuntivo di fornitura di apparecchiature per la produzione di chip raggiunto dalla società con TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) e Samsung.
Secondo quanto riportato da Jinse Finance APP, martedì ASML (ASML.US) è diventata il centro dell’attenzione del mercato, mentre Bank of America ha elogiato il nuovo accordo della società con TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) e Samsung per la fornitura aggiuntiva di apparecchiature per la produzione di chip. L'analista Didier Scemama della banca ha confermato la valutazione "buy" su ASML e ha mantenuto invariato il target price a 2.452 euro. Ha affermato che promuovere la costruzione dell’ecosistema dei reticoli fotolitografici da 12 pollici è cruciale per superare i limiti attuali della tecnologia High-NA.
L’8 settembre, il colosso olandese delle litografie ASML ha pubblicato diversi annunci, comunicando di aver raggiunto accordi con i tre maggiori produttori di chip al mondo — TSMC, Intel e Samsung Electronics — per la prossima generazione di apparecchiature di litografia EUV ad alto valore di apertura numerica (High-NA). Le tre aziende hanno contemporaneamente divulgato i rispettivi piani per la produzione di massa con tecnologia High-NA e hanno lanciato congiuntamente un'iniziativa di settore di portata ancora maggiore: promuovere la transizione dallo standard di reticolo fotolitografico da 6 pollici adottato da decenni a uno da 12 pollici di maggiori dimensioni.
La tecnologia High-NA EUV è considerata un aggiornamento epocale rispetto alla litografia EUV esistente. Attualmente, le macchine EUV commerciali hanno un’apertura numerica (NA) di 0,33, mentre la High-NA EUV porterà questo parametro a 0,55, aumentando notevolmente la risoluzione della stampa litografica. Questo significa che i produttori di chip potranno integrare più transistor sulla stessa area del wafer — la dimensione dei transistor potrà essere ridotta di circa 1,7 volte, con un aumento della densità di quasi 3 volte.
L’analista di Bank of America, Didier Scemama, ha scritto in un rapporto ai clienti: “Questi annunci sono in linea con le nostre previsioni sul ritmo di adozione delle apparecchiature EUV High-NA (5 unità quest'anno, 6 il prossimo anno, 20 nel 2030).”
Ha evidenziato, “Anche se questi ordini non modificano le nostre previsioni finanziarie, rafforzano notevolmente la fiducia del mercato nella collaborazione dell’intera filiera verso una roadmap unificata per la High-NA. L’esperienza di produzione di Intel dimostra che i clienti possono già applicare questa tecnologia agli attuali formati di reticoli; mentre l’iniziativa congiunta di TSMC, ASML e Samsung getta basi solide per sfruttare appieno, in futuro, i vantaggi di efficienza produttiva della High-NA.”
“Questo è particolarmente importante per gli AI Accelerator in continua crescita e per le GPU di dimensioni equivalenti al reticolo, in quanto consente di evitare rischi di rendimento dovuti a processi di stitching durante la produzione,” ha aggiunto Scemama. “L’obiettivo dell’iniziativa è di avviare una linea pilota di reticoli da 12 pollici entro il 2031 ed essere pronti per la produzione di massa entro il 2033.”
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