Samsung опублікувала дорожню карту наступного покоління зберігання даних: продуктивність HBM5 у 2 рази вища за HBM4E, а прискорення продуктивності zHBM зросло у 8 разів

Samsung Electronics представила на SEMICON Taiwan 2026 детальну технічну дорожню карту нового покоління пам'яті з високою пропускною здатністю (HBM) та наступної архітектури сховищ, охоплюючи HBM5, zHBM і zNAND-O та інші передові технології, демонструючи довгострокові наміри цього південнокорейського гіганта щодо інфраструктури зберігання для AI.

Віце-президент з планування продукції сховищ Samsung, Jangseok Choi, заявив на заході 1 вересня, що метою HBM5 є подвоїти продуктивність HBM4E, збільшити продуктивність на ват на 20%, а також знизити тепловий опір на 20%. Раніше, на Hot Chips 2026 у серпні, Samsung вже розкрила частину відповідних досягнень.

Samsung також оголосила про розробку абсолютно нової архітектури zHBM, мета — продуктивність у 8 разів вище HBM4E, підвищення продуктивності на ват у 3 рази, зниження теплового опору на 75% до 90%.

Ці технологічні оновлення безпосередньо відповідають на подвійні потреби у високій пропускній здатності та тепловідведенні, які виникли внаслідок швидкого зростання потужностей AI-акселераторів, і мають важливе значення для інвестування в ланцюжки поставок AI-чіпів та пов’язану інфраструктуру.

HBM5: Оновлення технологічного процесу до 2 нанометрів, серійне виробництво очікується у 2028 році

Як повідомляється, HBM5 орієнтований на продуктивність у два рази більшу ніж HBM4E, а також має значні поліпшення у ефективності енергоспоживання та тепловому менеджменті. Samsung переходить з 4-нм технологічного процесу, використовуваного в HBM4 та HBM4E, на власний 2-нм вузол для базових чіпів HBM5, що знаменує важливий крок у технології виробництва HBM.

Щодо кількості стосів, Samsung готує для HBM5 три варіанти DRAM-стосів: 12, 16 та 20 шарів, щоб задовольнити потреби різних застосунків у обсязі та продуктивності. Очікуваний час серійного виробництва — після HBM4E, приблизно на 2028 рік.

Зниження теплового опору на 20% є особливо важливим — із збільшенням енергоспоживання AI-акселераторів, тепловий менеджмент HBM стає вузьким місцем систем, і це вдосконалення допоможе забезпечити стабільність високопродуктивних обчислювальних систем.

zHBM: Революційна архітектура, зберігання безпосередньо розташовуються над процесором

Samsung позиціонує zHBM як абсолютно нову архітектуру, що відрізняється від традиційної HBM. Традиційно HBM розміщується поруч із AI-акселератором (xPU), тоді як zHBM розташовується безпосередньо над процесором, суттєво скорочуючи шлях передачі даних для досягнення вищої пропускної здатності та кращої енергоефективності.

Мета Samsung полягає в тому, щоб продуктивність zHBM була у 8 разів вищою за HBM4E, підвищення продуктивності на ват у 3 рази, зниження теплового опору від 75% до 90%. Якщо ці показники будуть досягнуті, це стане фундаментальним проривом для щільності пропускної здатності та енергоефективності у порівнянні з нинішньою архітектурою HBM.

zHBM очікується після 2029 року і є частиною довгострокової стратегії технологічного розвитку Samsung.

zNAND-O: Швидкість, близька до DRAM, з щільністю NAND

У сфері NAND-пам’яті Samsung також представила перспективні технології. Початок відвантаження зразків zNAND-O запланований на 2028 рік, мета — досягти щільності зберігання у 10 разів більшої, ніж у DRAM, і забезпечити пропускну здатність при читанні та енергоефективність у 7 разів більшої, ніж у NAND.

Дизайн цієї технології створено для задоволення вимог генеративного AI та великих мовних моделей (LLM) щодо "швидкості рівня DRAM, щільності рівня NAND" — з розширенням масштабів моделей компроміс між швидкістю та обсягом пам’яті стає дедалі більш суттєвим обмеженням для ефективності обробки та тренування AI.

Стратегія CUBE: чотиривимірний підхід — обсяг, використання, пропускна здатність й ефективність

На Memory Executive Summit, що проходив одночасно з SEMICON Taiwan 2026, Samsung системно представила свою стратегічну рамку "CUBE".

Jangseok Choi зазначив, що стратегія фокусується на чотирьох основних пріоритетах: обсяг (Capacity), використання (Utilization), пропускна здатність (Bandwidth) та ефективність (Efficiency).

Щодо обсягу, Samsung планує розширювати пам'ять вертикально, збільшуючи щільність зберігання без розширення площі друкованої плати (PCB);

Щодо використання, компанія бачить цінність 3D-пам’яті не тільки у кількості шарів, а й у оптимізації розміщення логіки та пам’яті для зниження затримки;

Щодо пропускної здатності, Samsung планує використовувати вертикальні високошвидкісні канали замість горизонтальних шляхів для скорочення відстані між чіпами;

Щодо ефективності, зосереджено увагу на енергоспоживанні та управлінні теплом, щоб мінімізувати енергоспоживання на біт даних і максимізувати продуктивність на ват.

Впровадження рамки CUBE свідчить, що Samsung прагне системного архітектурного управління розвитком пам’яті нового покоління, а не лише досягнення прориву за окремими показниками.