韩股异动丨三星电子大涨6% LPU+HBM5成双重催化

格隆汇3月18日｜三星电子今日跳空高开，涨幅一度扩大至6%。自本周以来，该公司已累计涨超11%。截至目前，其市值突破1370万亿韩元(约合9212亿美元)。 消息面上，在本届GTC大会上备受瞩目的Groq 3 LPU，已确认委托三星电子进行代工，预计采用4纳米工艺生产。三星半导体业务执行副总裁韩进万表示，Groq 3 LPU量产将于今年第三季度末或第四季度初开始，明年市场对该款芯片的需求有望实现进一步增长“早在2023年英伟达收购Groq之前，三星便已和Groq开始合作。”他补充道：“三星工程师直接参与其中，还协助了LPU的设计工作。”日前分析师郭明錤发文称，在英伟达投资Groq之后，LPU的出货量预测已大幅上调。预计2026至2027年的总出货量将达到400万至500万颗。 此外，在存储领域，三星下一代HBM也取得了进展。据Businesskorea，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5)，其底层芯片或采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。三星电子存储器开发执行副总裁黄相俊表示：“由于器件性能将不断提升，我们将继续把最先进的工艺应用于HBM5和HBM5E。”