TST的市值短暫超過1億美元，過去24小時內飆升超過400%

根據SemiAnalysis分析，在3D NAND閃存堆疊層數突破300層後，鎢連線在電阻、化學相容性及深孔填充等方面皆已觸及物理極限，因此鉬成為強制替代材料。Samsung已於2024年量產，Micron預計於2025年跟進，SK Hynix則計劃於2026年底推出375層鉬製程產品。預計2027年鉬沉積設備市場銷售額將超過10億美元。