三星、SK海力士加大在中國的NAND產能，西安和大連工廠投資預計明年前陸續落實

三星電子與SK海力士正加速強化於中國的NAND快閃記憶體生產布局，兩大韓國存儲巨擘計劃於明年前陸續完成新一輪設備投資，以因應AI伺服器帶動的高端存儲需求激增。

據ZDnet週二報導，業內消息顯示，三星電子已將中國西安工廠的第九代NAND轉換投資計劃具體化，並確定追加補充投資方案，相關設備採購訂單預計於今年年底前落實，補充投資將於明年下半年啟動。SK海力士則已於今年第三季度起，在大連第二工廠推動NAND產品升級所需的設備投資，目標產能規模約為每月三萬片晶圓。

上述投資計劃顯示，兩家企業正將中國產線定位爲高端NAND量產的重要支柱。隨著AI基礎設施建設提速，市場對先進NAND的需求持續擴張，此輪在中國的產能擴張有望進一步提升兩家企業高端產品的供應能力。

三星西安工廠：V9 NAND分階段擴產

三星電子今年上半年已於西安X2產線啓動V9 NAND轉換投資。V9 NAND採用280層堆疊架構，屬目前最先進的NAND產品，預計該產線月產能將達4萬至5萬片晶圓。

爲進一步鞏固V9 NAND穩定量產能力，三星電子近期確定了針對該工廠的補充投資計劃，核心內容爲追加引進蝕刻工藝設備。蝕刻工藝是NAND製造的關鍵環節——由於NAND需要將存儲單元堆疊數百層，必須在晶圓上蝕刻出極深的通道孔，對蝕刻技術的精度與深度要求極高。

據業內人士透露，三星電子計劃於明年下半年執行上述補充投資，相關設備採購訂單預計在今年年底前具體落實。該人士表示，三星今年和明年將分階段推進中國境內先進NAND產能擴張，直接原因是AI伺服器等應用場景對高端NAND需求的快速增長。

SK海力士大連工廠：新產線投資全面提速

就SK海力士方面，公司已於今年第三季度起在大連第二工廠啟動設備投資，目標是推動當地NAND產品的技術升級。據悉，目前討論中的投資規模對應月產能約為三萬片晶圓，相關投資將持續至明年。

大連工廠此輪投資標誌著SK海力士在中國NAND產能建設進入實質性加速階段，並與三星西安工廠的擴產節奏互為呼應，共同構成兩家韓國存儲企業應對全球高端NAND供需缺口的重要舉措。