SK海力士斥資超40億美元在美國建設HBM先進封裝基地，預計2029年量產

韓國晶片巨頭SK海力士正式啟動其在美國的首個高頻寬記憶體封裝工廠建設，這是華盛頓重建本土半導體供應鏈戰略的重要節點。

週四，SK海力士在印第安納州西拉法葉舉行破土動工儀式，這座造價逾40億美元的工廠將成為該公司在美國的首個HBM封裝基地。

首席執行官Kwak Noh-Jung在現場表示，潔淨室預計於2028年10月投入使用，下一代HBM量產將於2029年下半年啟動，工廠全面營運後將僱用約1,000名員工。

該項目獲得美國《芯片與科學法案》的支持，SK海力士有望據此獲得最多4.58億美元直接資金及最高5億美元貸款。

Kwak Noh-Jung在儀式上表示，「我們將在美國擴大投資與合作，共同成長，成為塑造美國AI未來最值得信賴的夥伴。」

週四，SK海力士ADR收漲2.27%。

印第安納州項目的戰略意義在於，它直接針對美國半導體供應鏈中的薄弱環節——先進封裝。這一技術將多顆晶片整合進單一封裝體，通常採用垂直堆疊方式以提升性能，在傳統晶片微縮技術日益受限的背景下尤為關鍵。

按照計劃，SK海力士將在韓國完成晶圓生產，再運往印第安納州進行封裝與測試，最終向美國客戶供貨。這一安排將HBM製造鏈條中技術壁壘最高的後端環節引入美國本土，契合華盛頓將關鍵晶片製造、封裝及研發能力帶回美國的政策初衷。

《芯片與科學法案》由拜登總統於2022年簽署，旨在降低美國對海外半導體生產的依賴。SK海力士此次布局，是該法案推動外資晶片企業在美投資的標誌性成果之一。

這座占地133.5英畝的工廠預計將通過建設、營運及相關產業，創造約7,000個直接和間接就業崗位。SK海力士目前正在評估逾100家材料、零部件及設備供應商，有望在當地形成更廣泛的半導體產業集群。

在研發層面，SK海力士與毗鄰的普渡大學簽署合作協議，共同推進HBM、系統整合及先進封裝研究，並將在生產線旁配套建設先進封裝研發測試平台。這一產學研聯動模式有助於在美國本土累積相關技術人才與知識儲備。

母公司SK集團還宣布，將為駐韓美軍退役士兵提供就業和職業發展機會，呼應了印第安納州與韓國之間的歷史淵源——該州曾向朝鮮戰爭派遣約14萬名士兵。

高頻寬記憶體市場的爆發性增長為SK海力士提供了擴張底氣。

HBM是英偉達最先進AI加速系統不可或缺的核心部件，旺盛的AI算力需求已將SK海力士推升為韓國市值第二大上市公司，僅次於三星電子，後者同樣受益於HBM及其他記憶體產品的強勁需求。

隨著潔淨室建設推進及量產時間表落定，這座工廠的營運節奏將在一定程度上與全球AI基礎設施投資週期深度綁定。

對於關注AI供應鏈布局的投資者而言，該項目既是SK海力士在美市場份額爭奪的前沿陣地，也是觀察美國半導體本土化戰略落地進展的重要窗口。