SK海力士矽晶圓採購環比暴增104%：AI儲存軍備競賽下的「搶糧」與漲價博弈

在AI算力需求持續重塑半導體供應鏈格局的當下，存儲巨頭正通過激進的原材料囤積策略，試圖在下一輪產能擴張與成本博弈中搶佔先機。

9月1日，據DIGITIMES報導，SK海力士2026年第二季度矽晶圓採購金額環比暴增104%，採購力度顯著超越競爭對手三星電子。這一翻倍式的採購增量，直指上游矽晶圓漲價預期與AI存儲晶片的備料壓力。

此舉不僅凸顯了SK海力士在高頻寬記憶體（HBM）及先進DRAM賽道上的激進擴張意圖，更向市場釋放出強烈信號：AI驅動的存儲超級週期正將成本壓力向上游核心材料端傳導，基礎耗材的供需緊平衡將成為影響半導體企業利潤率的關鍵變數。

採購翻倍背後的「搶糧」邏輯與漲價防禦

受AI需求持續高漲及晶圓漲價預期影響，SK海力士大幅加大了矽晶圓採購力度。

在半導體製造成本中，矽晶圓佔據核心比重，此次採購金額的翻倍，本質上是SK海力士為應對未來晶圓漲價壓力而採取的提前卡位策略。

通過大規模鎖定上游原料，SK海力士旨在平抑未來潛在的採購成本波動。值得注意的是，其採購力度顯著高於同期的三星電子。

這一差異反映出兩家公司在AI存儲賽道上的戰略分歧：SK海力士正以更為激進的備料策略，確保其在HBM及先進製程DRAM市場的產能釋放不受原材料短缺的掣肘，從而鞏固其在AI供應鏈中的先發優勢與交付確定性。

產能狂飆與AI存儲超級週期的共振

SK海力士在原材料端的激進「囤糧」，是其整體產能擴張與技術迭代戰略的縮影。

為支持下一代HBM4的生產，SK海力士已將1C DRAM的擴產計畫上調至原目標的近兩倍，2027年第一季度末的月產量目標提升至17萬至20萬片。

同時，公司計畫投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以進一步擴充先進內存產能。

在技術突破方面，SK海力士已成功開發1c製程16GB LPDDR6晶片，資料處理速度與能效均獲顯著提升；並完成了375層NAND快閃記憶體的量產驗證，首次在字線金屬柵極中引入鉬材料取代傳統的鎢，計畫年底前量產。

2026年第一季度，SK海力士實現營收52.58萬億韓元，同比增長298%；營業利潤達37.61萬億韓元，淨利潤率超過70%，DRAM與NAND均價均創單季歷史峰值。強勁的現金流為其提前鎖定矽晶圓等核心原料提供了充足的彈藥。

成本傳導加速：上游供應鏈的定價權重塑

SK海力士的備料動作不僅影響矽晶圓市場，更折射出整個半導體上游供應鏈定價權的重塑。在積極採購原材料的同時，SK海力士在設備採購端也展現出對成本上升的妥協。

近期，SK海力士打破了行業慣例，向核心設備供應商開放價格調整窗口，默許部分一級供應商提價3%至4%，終結了過去五年設備供應商持續降價的局面。

此外，在評估375層NAND的鉬製程設備時，SK海力士最終選擇了東京電子的爐式設備，以取代泛林集團的單片晶圓處理設備，顯示出對特定工藝設備的高度依賴。

從矽晶圓材料的翻倍採購，到默許核心設備漲價，SK海力士的舉措表明，在AI驅動的產能軍備競賽中，存儲巨頭對上游供應鏈的依賴度正在加深。

對於投資者而言，這意味著半導體資本支出的紅利正加速向矽晶圓製造商及核心設備供應商傳導，上游材料與設備環節的業績彈性與提價能力將成為未來市場定價的重要錨點。