SK Hynix (SKHY.US) busca en Japón su próxima base de producción mientras Wall Street sigue apostando a la "escasez de almacenamiento para IA"

Según ha sabido Invertir Global APP, uno de los mayores fabricantes mundiales de chips de memoria, SK Hynix (SKHY.US), está evaluando la viabilidad de construir una fábrica conjunta de obleas de memoria (Memory Fab) en Japón, considerando como condiciones clave para la ubicación el tener abastecimiento suficiente y de bajo costo de electricidad y agua. El potencial proyecto en Japón complementaría el plan de expansión de 54 billones de wones en Corea del Sur y la base de empaquetado avanzado en Indiana (Estados Unidos), y aprovecharía las ventajas de Japón en equipos de semiconductores de alta gama, materiales para semiconductores, grandes clientes, subsidios estatales y la cadena de valor de Kioxia, líder en NAND flash. Este movimiento parece responder más a una actualización global de capacidad de producción por la grave escasez de chips de memoria y una reconfiguración de capacidad tras considerar costos y riesgos geopolíticos, que a señales de exceso de suministro o debilitamiento de la demanda de cómputo para inteligencia artificial.

El auge de los chips de memoria sigue siendo impulsado por inversiones en infraestructura de cómputo de IA, y en el sector de la cadena de valor de cómputo de IA continúan apareciendo señales positivas sobre la demanda de potencia de IA. Las exportaciones coreanas en julio crecieron 62,8% interanual a 98.890 millones de dólares, de las cuales las exportaciones de semiconductores —estratégicas para la economía de Corea del Sur— se dispararon 178,8% a 41.010 millones de dólares; encuestas muestran que los economistas esperan que las exportaciones coreanas en agosto aumenten 62,6%, una cifra muy alta, aunque los datos oficiales recién serán publicados el 1 de septiembre.

La capacidad real de producción de semiconductores de IA y el lado de la demanda parecen estar aún más ajustadas. El CEO del grupo SK, Chey Tae-won, afirmó que los clientes exigen que el volumen de suministro de semiconductores de IA en 2027 aumente entre un 60% y 100% respecto a 2026, pero la nueva capacidad disponible es muy limitada, quizá llegando apenas al 50% de incremento; el CEO de SK Hynix, Kwak Noh-jung, prevé que en 2027 podría vivirse la peor escasez de chips de memoria de la historia del sector, y que incluso después de 2030 la demanda seguiría superando la capacidad de suministro de la compañía.

SK Hynix evalúa construir en Japón una fábrica conjunta de obleas de memoria para ampliar la oferta ante el boom de la IA

La compañía SK Hynix está estudiando la posibilidad de constituir una empresa conjunta en Japón para producir chips de memoria; es una de las diversas opciones valoradas por la empresa para satisfacer la creciente demanda de semiconductores para IA, al tiempo que controla los costos de producción.

El presidente del grupo SK, Chey Tae-won, declaró en una entrevista durante una reunión de la Cámara de Comercio de Corea y Japón en Sendai que el gigante surcoreano del suministro de DRAM y NAND está explorando varios posibles emplazamientos para una gran fábrica de chips de memoria operada conjuntamente en Japón.

El furor por la inteligencia artificial ha convertido a SK Hynix, con sede en Icheon (Corea del Sur), en el activo más destacado bajo el paraguas del grupo SK de Chey Tae-won. Sus productos están ayudando a Nvidia y a los mayores desarrolladores de centros de datos del mundo a suministrar recursos clave de cómputo de IA. La semana pasada, SK Hynix celebró la colocación de la primera piedra de unas instalaciones avanzadas de empaquetado de chips en Indiana, Estados Unidos, y la empresa sigue explorando una mayor expansión global.

“Estamos evaluando a toda velocidad en distintas zonas de Japón”, comentó Chey Tae-won a periodistas. “Cualquier lugar que ofrezca buena electricidad y agua será considerado”. Al ser consultado sobre posibles socios o emplazamientos concretos en Japón, evitó detallar más. El grupo SK opera en sectores como energía, telecomunicaciones y semiconductores, y es responsable de la asignación global de capital para grandes inversiones del conglomerado.

Para atender la gran demanda de almacenamiento de datos impulsada por la IA, y a la vez responder a los intentos de EE.UU. de contener las ambiciones tecnológicas de China, SK Hynix busca bases para la producción y empaquetado de chips por todo el mundo. Planea invertir 54 billones de wones (unos 39.000 millones de dólares) en expandir sus instalaciones de fabricación en Corea del Sur, y está construyendo un gran centro de empaquetado avanzado de chips de memoria en West Lafayette, Indiana.

La búsqueda de un emplazamiento en Japón es parte del esfuerzo mayor de SK Hynix por afianzar la colaboración con clientes y proveedores japoneses. La empresa posee indirectamente una participación importante en Kioxia, líder global en flash NAND con sede en Tokio; su CEO, Kwak Noh-jung, declaró la semana pasada que “están estudiando cuidadosamente cómo co-desarrollar el mercado de memoria flash NAND con clientes y proveedores”.

Al igual que la memoria de alto ancho de banda (HBM), también ha crecido fuertemente la demanda de NAND; gigantes globales de cloud computing como Facebook (Meta Platforms), Amazon y otras empresas que han apostado fuerte a centros de datos para IA, compiten por asegurarse los crecientes volúmenes de almacenamiento NAND necesarios en los próximos años, persiguiendo además una mayor performance respecto a los discos rígidos tradicionales (HDD).

Uno de los competidores de SK Hynix, la estadounidense Micron Technology, dispone de una gran instalación de producción en Hiroshima, al oeste de Japón. El país nipón concentra numerosos proveedores de SK Hynix, desde la privada Namics hasta el gigante mundial de equipos para semiconductores Tokyo Electron, así como grandes clientes como Sony Group o Nintendo. Además, el gobierno japonés ha demostrado disposición a otorgar importantes subsidios a fabricantes internacionales como TSMC para ampliar su capacidad en el país.

“Ahora es el momento de crear una zona económica conjunta entre Corea y Japón”, expresó Chey Tae-won —quien también preside la Cámara de Comercio de Corea— antes del encuentro anual de presidentes de las cámaras coreana y japonesa, en una actividad centrada en el problema de reducción de la fuerza laboral en ambos países.

La IA devora chips de memoria: ¡HBM se lleva aún más obleas! SK Hynix continúa con su racha alcista

Al cierre de la primera sesión asiática del lunes, la acción de SK Hynix bajó un 1,45% en la bolsa coreana, rondando los 1,63 millones de wones por título. En la rueda nocturna del lunes en Wall Street, el ADR estadounidense (SKHY.US) oscilaba cerca de los 157,8 dólares.

En Wall Street se mantiene una visión positiva sobre el súper ciclo de memorias para IA, pero el potencial de suba en el precio de las acciones se reparte así: “el liderazgo de SK Hynix en HBM—la exposición pura de Micron a memorias en dólares—la recuperación y el apalancamiento operativo de Samsung como perseguidor”. Goldman Sachs asignó a SK Hynix un precio objetivo de hasta 3,5 millones de wones, Citi le asignó 3,1 millones y Morgan Stanley 2,6 millones de wones.

La lógica inversora de los tres grandes jugadores de la memoria no es idéntica: SK Hynix destaca por su liderazgo en HBM, máxima sensibilidad al precio del almacenamiento para IA y un plan de recompra de 40 billones de wones; Micron es la referencia pura de liquidez en el mercado de chips de memoria en dólares; Samsung, por su parte, combina ventajas de escala y el apalancamiento operativo derivado de su agresiva apuesta por HBM.

Los grandes conjuntos de entrenamiento en IA, pesos de modelos, checkpoints, bases de datos vectoriales, corpus RAG, datos multimodales, logs y resultados de inferencia necesitan almacenamiento durable de alta capacidad; durante el entrenamiento, grandes volúmenes de datos se transfieren constantemente desde el almacenamiento por objetos y NVMe SSDs locales a los clusters de GPU; la etapa de inferencia genera aún más grandes volúmenes de KV Cache, long contexts, estados de agentes y datos recuperados.

HBM actúa como la “capa caliente de datos” de mayor ancho de banda; la DRAM de alto rendimiento empresarial sirve como memoria de trabajo del sistema; y los SSD empresariales NAND aportan una “capa tibia y de persistencia” de mucha mayor capacidad y menor costo que la HBM. Por eso, la NAND no sustituye a la HBM; más bien, en los servidores de IA ambos expanden la capacidad junto con DRAM en sus respectivos niveles.

La era de la IA demanda no solo modelos de cómputo, sino la capacidad de transferir, almacenar y acceder con baja latencia a enormes volúmenes de datos de estado. HBM y DRAM manejan los conjuntos de trabajo de mayor ancho de banda junto a la GPU, pero los pesos de los modelos, datasets de entrenamiento, checkpoints, bases vectoriales, bases RAG, logs inferidos, memorias a largo plazo de los agentes y parte de los KV Cache no pueden residir por completo en la cara y limitada HBM; los NVMe SSD empresariales se convierten entonces en la capa de persistencia de alto rendimiento entre HBM/DRAM y los HDD o el almacenamiento por objetos.

Según un informe de TrendForce, este organismo espera que para 2026 el precio contractual de DRAM para servidores suba cerca de 270% y el precio acumulado de SSD empresariales aumente cerca de 235%; para 2027, la memoria HBM aún podría incrementarse entre 70% y 140%. En el tercer trimestre de 2026, el precio contractual de DRAM de servidores de centros de datos podría subir entre un 13% y 18% intertrimestralmente sobre una base alta, mientras que el aumento de la oferta de bits de RDIMM en 2027 será solo un 15–20%, muy por detrás del crecimiento de la demanda total de DRAM para servidores.

Los datos más recientes de la cadena de la industria del almacenamiento y del ecosistema de IA muestran que la expansión de la demanda inducida por la IA está trasvasando la presión desde HBM/DRAM hacia NAND, y que las cargas de inferencia de volumen masivo se han vuelto el motor central de la reconfiguración de la demanda de NAND en este ciclo.

El auge inédito de demanda de almacenamiento provocado por la expansión explosiva de la IA, la ocupación creciente de la limitada capacidad de producción por el complejísimo HBM, y la elasticidad limitada de la oferta de DRAM/NAND general durante un largo tiempo, confluyen para crear este “súper ciclo de escasez de oferta” en chips de memoria ligados a potencias de IA.