Samsung et SK Hynix augmentent leur capacité de production de NAND en Chine, avec des investissements dans les usines de Xi’an et Dalian prévus d’ici l’année prochaine.

Samsung Electronics et SK Hynix accélèrent le renforcement de la production de mémoire flash NAND en Chine, les deux géants sud-coréens de la mémoire prévoyant de finaliser une nouvelle vague d'investissements dans les équipements d'ici l'année prochaine afin de répondre à la flambée de la demande de solutions de stockage haut de gamme alimentée par les serveurs d'IA.

Selon un rapport de ZDnet publié mardi, des sources industrielles indiquent que Samsung Electronics a concrétisé son plan d'investissement pour le passage à la neuvième génération de NAND à l'usine de Xi'an, en Chine, et a défini des mesures d'investissement complémentaires. Les commandes pour l'achat des équipements concernés devraient être finalisées avant la fin de l'année, et les investissements complémentaires démarreront au second semestre de l'année prochaine. De son côté, SK Hynix a lancé au troisième trimestre de cette année un investissement dans des équipements à sa seconde usine de Dalian, nécessaire pour la mise à niveau technologique de ses produits NAND, avec un objectif de capacité de production d'environ 30 000 tranches de silicium par mois.

Ces plans d'investissement témoignent de la stratégie des deux entreprises qui font des lignes de production en Chine un pilier essentiel de leur fabrication de NAND haut de gamme. Alors que la construction d'infrastructures pour l'IA s'accélère, la demande du marché pour les NAND avancées poursuit sa forte expansion, et cette phase d'expansion en Chine devrait permettre aux deux groupes d'améliorer davantage leur capacité d'approvisionnement en produits de pointe.

Usine Samsung à Xi'an : expansion progressive du V9 NAND

Au premier semestre de cette année, Samsung Electronics a lancé des investissements à Xi'an (ligne X2) pour la conversion vers la production de V9 NAND. Le V9 NAND utilise une architecture de superposition de 280 couches, ce qui en fait le produit NAND le plus avancé à l'heure actuelle. On s'attend à ce que la capacité mensuelle de la ligne atteigne 40 000 à 50 000 tranches de silicium.

Pour consolider davantage la capacité de production stable du V9 NAND, Samsung Electronics a récemment décidé d'un investissement complémentaire pour cette usine, avec en cœur de projet l'ajout d'équipements de gravure. La gravure est une étape clé dans la fabrication des NAND — car il est nécessaire de superposer des centaines de couches de cellules de mémoire et, pour ce faire, de graver des canaux profonds dans la tranche de silicium, ce qui impose des exigences très strictes de précision et de profondeur.

Selon des sources industrielles, Samsung Electronics prévoit d'effectuer cet investissement supplémentaire au second semestre de l'année prochaine, avec des commandes de matériel attendues pour concrétisation d'ici la fin de cette année. La source précise que l'expansion de la capacité de production des NAND avancées en Chine se fera par étapes entre cette année et l'an prochain, la raison principale étant la forte croissance de la demande de NAND haut de gamme pour des applications telles que les serveurs d'IA.

Usine SK Hynix à Dalian : Accélération générale de l'investissement dans la nouvelle ligne de production

Du côté de SK Hynix, la société a lancé dès le troisième trimestre de cette année un investissement dans les équipements nécessaires à la mise à niveau technologique des produits NAND de sa seconde usine de Dalian. Il est rapporté que la capacité de production mensuelle visée par ce plan d’investissement correspond à environ 30 000 tranches de silicium, la dynamique d’investissement devant se poursuivre jusqu’à l’année prochaine.

Ce cycle d’investissement à l’usine de Dalian marque l’entrée de SK Hynix dans une phase d’accélération significative de la construction de ses capacités de production de NAND en Chine. Cela résonne avec le rythme de l’expansion de l’usine Samsung de Xi'an et constitue, pour les deux géants sud-coréens de la mémoire, une initiative majeure pour répondre à la pénurie mondiale de NAND haut de gamme.