AIストレージ需要がさらに拡大:NVIDIA CMXは来年1億TB超のNANDを消費する可能性、Samsungがすでに供給を開始
サムスン電子はNVIDIAに対して第10世代V-NANDの量産供給を開始し、全生産能力の約60%を第9世代製品に充ててNVIDIAの新型ストレージデバイスCMXの需要に対応しています。CMXに必要なNAND容量は今年の3,500万TBから来年には1億TBを超えるまで急増する見込みです。サムスンは現在、V9の安定生産、V10の立ち上げ、V11の試験生産を進めており、会長のイ・ジェヨンはJensen Huangと会談し、HBM、NANDの供給やデータセンター協業について協議する予定です。
NVIDIAのAIサーバーによるNANDフラッシュ需要は爆発的な成長段階に突入しており、Samsung Electronicsは生産能力の優位性を活かし、このトレンドを戦略的機会へと迅速に転換しています。
ソウル経済新聞が7月20日に報じたところによると、Samsung Electronicsは第10世代V型NAND(V10)の量産を開始し、NVIDIAへの正式供給も始めました。同時に、同社のV-NAND全体の生産能力の約60%を第9世代製品(V9)の生産ラインに割り当て、NVIDIAがまもなくリリースする新世代のストレージデバイス「コンテキストメモリストレージ」(Context Memory Storage、CMX)の需要に対応しています。業界では、CMXで必要とされるNAND容量は今年の3,500万TBから来年には1億TBを超えると予想されています。
この需要の高まりは、NAND市場全体の供給構造に深い影響を及ぼします。NVIDIAによるNANDの大規模な確保は、他の企業や消費者が入手できるストレージチップの供給を大幅に狭め、市場価格に上昇圧力をかけることになります。
同時に、Samsung Electronicsの会長である李在鎔(イ・ジェヨン)は、近日中にサンフランシスコでNVIDIAのCEO黄仁勳(ジェン・スン・ファン)と会談する見通しであり、両者はHBMと次世代NAND製品の供給や、韓国内でのデータセンター建設などの協業について深く協議する予定です。
CMXがNAND需要を牽引、NVIDIAがSamsungの生産能力を確保
NVIDIAのCMXが誕生した背景には、AI推論プロセスにおける「キー・バリューキャッシュ」(KV Cache)データ量の急激な増大があります。これまで、GPUサーバーは内部でKVキャッシュデータを処理できましたが、データ規模の継続的な拡大に伴い、数千TB級のSSDを搭載した独立型外付けストレージがAIサーバーには必須となっています。
wccftechの報道によると、NVIDIA CMXの1台につき576枚のSSDが搭載され、総ストレージ容量は9,600TBに達します。業界推定では、CMXで必要とされるNAND容量は今年約3,500万TB、来年には1億TBを突破する見込みです。半導体業界の独立アナリスト@jukan05は、Xで1億TBの規模は、NAND市場に新たなAppleクラスの需要源が加わるようなものであり、供給側へのインパクトは軽視できないと投稿しています。
Samsung Electronicsの現時点での月間V-NANDウエハー生産能力は10万枚を超えています。報道によると、NVIDIAはCMX出荷直前にSamsungに対してNAND生産能力の拡大を要求し、Samsung側も積極的に対応しています。Samsungの今年のNAND総生産量は約2.5億TBに達する見込みで、これにより同社はNVIDIA CMXの中核サプライヤーとしての地位を固める計画です。

V9安定生産・V10量産・V11試作、Samsungは3世代並行
製品ラインの展開について、Samsungは3世代のV-NAND製品を同時に推進しています。
V9については、生産能力のシェアをV-NAND全体の約60%まで引き上げ、良品率も80%以上に安定し、量産の成熟段階に入りました。1年前はV8がV-NAND生産量のかなりの割合を占めていましたが、現在は割当が40%未満まで減少し、ライン転換のスピードはSamsungのAIサーバー需要への迅速な対応能力を示しています。また、Samsung平澤第4工場(P4)のNAND専用クリーンルームはまだ半分以上のスペースが未稼働で、今後のライン拡張に十分な余地があります。
V10については、今年上半期に正式に量産を開始し、現時点でV-NAND全体生産量の5%未満で立ち上げ段階です。V10は約400層の積層構造を採用し、V9の286層に比べて記憶密度が50%以上向上しています。これにより、同じCMXモジュール内でより高容量のSSDを搭載できるようになりました。注目すべきは、V10で従来のタングステン配線に代わってモリブデン材料を初めて大規模に商用利用し、配線の厚みを30%~40%削減可能となっています。SamsungはV9でも一部で小規模に導入していました。
V11については、年初に試作が始まりました。積層層数は400層から500層を目指し、V10より100層ほど増加しています。Samsungは下半期に試作規模を倍増し、十分な良品率データを蓄積して量産体制構築を加速する計画です。
供給集中の効果顕著、コンシューマ市場は圧力に直面
SamsungとNVIDIAのNAND同盟の深化は、Samsungの業績予想を押し上げる一方、ストレージ業界全体の供給格差をさらに拡大させています。
報道によると、Samsungの2026年の利益は、過去40年の累計利益を上回ると予測されており、これはAIサーバー向けストレージ需要の構造的爆発に大きく起因しています。しかし、この恩恵の裏側では、Samsungが大量の生産能力をNVIDIAなどの大手テクノロジー顧客向けに確保することで、他の企業や一般消費者向けのNAND供給が明確に圧迫され、ストレージ価格上昇リスクが高まる状況となります。
これまでAIブームはDRAMの供給不足と価格急騰を先行して引き起こし、NAND市場も似たような供給ひっ迫のロジックに直面しています。NVIDIAのCMX出荷規模が拡大し続ければ、この圧力はさらに強まると見られます。
長期的には、V11 NANDの開発加速がコンシューマ向け市場にある程度緩和の余地をもたらす可能性があります ― 500層積層技術により理論上はコストを抑えつつ大容量コンシューマ用SSDを量産可能となりますが、前提としてSamsungがそのための生産能力を割り当てることが必要です。現時点での生産能力の配分方針では、この展望はまだ楽観的ではありません。
李在鎔と黄仁勳がまもなく会談、協業の拡大続く
SamsungとNVIDIAの協業はDRAMやHBMからファウンドリサービスにまで拡大しており、今回NANDフラッシュも同盟フレームワークに組み込まれることで、協力の深度と幅がさらに拡張されています。
報道によると、李在鎔は近日中にサンフランシスコでNVIDIA CEO黄仁勳と会談する予定です。今回の会談テーマは、HBMや次世代NAND製品の供給アレンジ、韓国内の全南光州などでのデータセンター建設計画などが含まれる見通しです。
業界関係者は「SamsungとNVIDIAの同盟はストレージとファウンドリ業務全体にまたがっており、トップ2人の協業を巡る協議はさらに深まるだろう」と述べています。NVIDIAのCMX出荷も間近に迫っており、今回の会談の戦略的意義もより一層際立つものとなるでしょう。
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