AIストレージ需要は依然として旺盛！サムスンが驚異的な決算を発表：第2四半期チップ利益が250倍増加、売上高と利益が再び過去最高を更新

ジトウ財経APPの報道によると、韓国のメモリ半導体大手であるSamsung Electronicsは木曜日に記録的な四半期業績を発表しました――営業利益は前年同期比1814%増の89.5兆ウォン（約620億ドル）、前四半期比56.4%増、売上高は171.5兆ウォンで前年同期比130%増、前四半期比28%増となり、いずれも単一四半期で過去最高記録を更新しました。

2026年第2四半期の単一四半期の利益は、Samsungの2024年（33.6兆ウォン）と2025年（45.2兆ウォン）の純利益合計を上回りました。純利益は71.62兆ウォン（約496億ドル）で、前年同期比1299.9%増。1株当たり利益は10,849ウォン。

前日にSK hynix (SKHY.US)も営業利益が557%急増し、60.5兆ウォンという過去最高の業績を発表しました。韓国の二大メモリ大手は2026年第2四半期だけで約150兆ウォン（約1040億ドル）という営業利益を達成——1日あたり11億ドル超を稼いでいることになります。しかし、市場の反応は冷ややかでした。SK hynixの決算発表後、米国預託証券ADRは終値で8%以上急落、韓国株は一時19%超下落し、最終的には9.61%安で取引を終えました。Samsung Electronicsも記録的利益にもかかわらず、韓国株価は高騰後すぐに反落し、AI半導体セクターの「期待が過剰に先行しすぎた」という集団的不安を映し出しています。

AI需要が爆発的、半導体事業が89.2兆ウォンを荒稼ぎ

Samsung Electronicsの第2四半期決算は「氷と火」の両極端な結果を示しています。半導体事業（DS部門）が絶対的な主役となり、売上高127.5兆ウォン、営業利益89.2兆ウォンを達成し、いずれも過去最高記録を更新しました。なお、業績には約18兆ウォンの従業員ボーナス引当金が含まれており、もしこの要因を除けば、四半期営業利益は100兆ウォンを超えることができたでしょう。利益は前年同期比で約250倍拡大しています。メモリ事業はAI需要に積極的に対応し、キャパシティが限られた中で再び記録的な四半期パフォーマンスを実現。HBM4の販売規模は継続的に拡大し、主要顧客向けに業界初のHBM4Eサンプル提供も完了済みです。

AIメモリの輝きだけではSamsungの他事業の弱さを完全には覆いきれません。完成品事業（DX部門）は赤字となり、売上高48兆ウォン（前四半期比9%減）、営業損失は8000億ウォンで、主に部品コスト上昇が響きました。ハーマン（Harman）の売上高は4.6兆ウォン、営業利益4000億ウォン。ディスプレイ事業の売上高は7.5兆ウォン、営業利益7000億ウォン。その中のMX事業（モバイル端末）は部品コスト高に直面し、売上高33.2兆ウォン、営業損失0.7兆ウォンとなりました。

携帯電話事業の落ち込みは、AIメモリの強い牽引があっても、従来型消費者エレクトロニクス事業の景気循環による重圧は依然無視できないことを示しています。スマートフォン事業は部品コストの高騰と市場需要の弱含みに苦しんでいます。

同社は下半期も半導体需要が引き続き強まると見ています。AIが生成型からエージェント型（Agentic AI）へと進化することで、サーバーメモリ需要がさらに拡大すると予想。モバイルとPC向けの需要はやや鈍化する可能性があるものの、サーバー向けDRAM、企業向けSSD、HBMの需要成長は加速する見通しで、市場は引き続き需給逼迫状態が継続するものとみられます。

HBMのリードとファウンドリーの課題：半導体事業の二面性

SamsungはAIメモリ分野のリードをさらに強固にしています。HBM4は量産出荷が本格化し、主要顧客向けに業界初のHBM4Eサンプルも供給しました。HBM4Eは12層積層構造で容量48GB、性能はHBM4比で20％超向上しています。

しかし、半導体事業全体が好調というわけではありません。ファウンドリー/LSI部門の営業損失は依然0.9兆ウォンに達し、TSMCへの追いつきにはなお時間が必要です。この「氷と火」の二極化は、Samsungの長期的競争力について市場で意見が分かれる核心的要因の一つとなっています。

SK hynix：記録的な業績でも市場予想を下回り、「未達」認定

SK hynixも第2四半期の決算で複数の新記録を樹立しましたが、市場の「暴走する期待」に届かず売り浴びせを受けました。

データによれば、SK hynixの第2四半期売上高は79.3兆ウォンで前年同期比257%増、営業利益は60.5兆ウォンで前年同期比557%増、営業利益率は76%。ただ、アナリスト予想は売上高約84兆ウォン、営業利益約64兆ウォンだったため、実際の売上高・営業利益はいずれも想定レンジを下回りました。

財務面では、第2四半期末時点の現金及び現金同等物は88兆ウォンで前四半期比33.6兆ウォン増、総負債は18.6兆ウォンに減少し、純現金ポジションは69.4兆ウォンに拡大。

SK hynixは2026年下半期にHBM4供給を大幅拡大する計画で、既に約10社の主要顧客と長期半導体供給契約を締結。会社側はLTA（長期契約）価格体系で価格変動の激しさを緩和し、中長期の需要をより明確に見通せるようになると説明しました。

市場「期待インフレ」：なぜ記録的利益でも売りにつながるのか？

メモリ2大メーカーが1四半期で合計約1040億ドルの営業利益をたたき出したにもかかわらず市場は売りで応じる――この現象はAIメモリセクターが抱える根本的ジレンマを映しており、「期待が天井まで盛り上がったため、せいぜい予想通りの結果ではネガティブと解釈される」リスクを示します。矛盾しているようにも見えるこの現象、3つの深い懸念があります：

第一に、市場の期待が暴走していること。 SK hynixの営業利益は前年同期557%増にもかかわらず、「届いていない」と評価される。これは直近2年間のAIメモリスーパーサイクルを経て、投資家の期待が異常なまでに高まった現れ。未来資産証券のアナリストも「SK hynixの売上・営業利益・営業利益率いずれも市場予想を下回った」と指摘しています。

第二に、サイクルリスクへの恐怖の再来。 メモリ半導体業界は従来からサイクル要因が大きく、価格の上昇と拡大投資が続くと過剰供給サイクルに転じるリスクがあります。DRAMはコモディティ性が高く、供給過剰と不足の間で価格が大きく揺れ動く歴史がありました。AI需要は依然強いですが、メーカーの増産計画が今後過剰リスクを高めつつあります。

第三に、高バリュエーション・高レバレッジの脆さ。 テクノロジー企業の負債拡大は投資家の懸念材料になっており、SamsungやSK hynixもレバレッジ上昇で市場変動が増幅。韓国KOSPI指数の両社のウェイトは合計50%超、株価動向は韓国市場全体に波及します。SK hynix株は6月高値から約50%調整しています。

「年次交渉」から「10年長期契約」へ：メモリ業界の構造変化

短期の市場変動の裏で、より本質的な構造転換が進んでいます——メモリ半導体の商習慣が「スポット・年次交渉」型から「複数年の長期契約」型へシフトしています。

今年7月、Samsung ElectronicsはBroadcomと総額2000億ドルに上る覚書（MOU）を締結し、今後5年間最先端メモリ半導体を供給しファウンドリーサービスも提供します。同時にSKグループはNvidiaら米国テック大手と総額7500億ドルの長期供給パートナー契約を締結。韓国2社の半導体提携契約は合計9500億ドルに達します。

この転換はきわめて大きな意味があります。これまで、メモリの供給契約は主に1年単位で、市況変動に合わせて価格調整されてきました。しかし今や5 年にも及ぶ長期契約が新時代の標準となりつつあります。SK hynixはすでに約10社とLTA契約締結済みで、SamsungとBroadcomの契約も2030年まで続きます。

シンガポールTiger Fund Management CEOのJeremy Tanは「メモリメーカーは複数年の長期契約を結び、高水準で価格を固定してバリュエーションを維持する必要がある。価格や契約義務より、フォワードガイダンスがより重要だ」と述べています。

長期契約の両刃効果も顕著。アナリストによれば、LTAは企業が将来需要をより明確に予測できるようにする一方で、短期製品価格の上昇余地を狭めてしまいます——これも今回SK hynixの業績が期待に届かなかった一因です。

下半期展望：需給逼迫は継続、だがリスクも蓄積中

下半期の展望について、両社とも楽観的見通しを維持。SK hynixはDRAM出荷が前四半期比約10%増、年間設備投資は40兆～50兆ウォンの高水準を計画しています。Samsungはサーバー向けDRAM、eSSD、HBM需要が引き続き強いと見込み、需給逼迫が続く見通し。HBM4やDDR5など高付加価値製品の販売拡大に取り組み、ファウンドリー事業では2桁成長を目指します。また、AIインフラ投資の継続拡大とエージェントAI活用の広がりを背景にサーバーメモリ需要は堅調を維持、市場は引き続き需給逼迫状態にあるとしています。

とはいえ、リスクも無視できません：中国企業の台頭。中国メモリ半導体メーカーCXMT（長鑫メモリ）は上場初日に466%急騰しました。世界DRAM市場シェアはわずか7.67%ですが、中国の拡張による価格調整リスクを市場はすでに織り込んでいます。

超大型キャピタルエクスペンディチャー鈍化リスク。2026年の主要4大ハイパースケーラーの設備投資合計は約6950億ドルが見込まれるものの、年成長率は2026年の84.7%から2027年には27.5%に急減速する見通し。もしAIハードウェア支出が減速すれば、メモリ需要は直撃を受けます。

供給過剰サイクルの影。各メーカーの大規模投資計画が将来の過剰リスクを蓄積中です。Micronはキャピタルエクスペンディチャーを270億ドル、SK hynixは記録的な290億ドルのNASDAQ資金調達で新工場建設に充てています。

JPMorganはSamsung Electronicsに対して「オーバーウェイト」格付けを維持、目標株価は48万ウォン（現行比で3割超アップ）、今後も「メモリ供給率は50%～60%にとどまり、年後半も価格環境の優位性が続く」と指摘。Citiはさらに強気で目標株価53万ウォンを付与し、「SamsungはエンドツーエンドのAIワンストップソリューションで構造的な成長が続く」と見ています。FactSetによると30～40人規模のアナリストの平均目標株価は48.7万ウォンで、ほぼ全員が強気見通しです。

DRAMとNANDの価格は2026年第1四半期に2025年第4四半期基準から約90%上昇、第2四半期にもさらに50～60%上昇しています。これほど急激な価格上昇が持続可能か、AIインフラ支出が今の勢いを維持できるか、中国勢の技術進歩などが、メモリ半導体スーパーサイクルの行方を左右する重要な変数です。