Teleconferência de especialistas em armazenamento da Goldman Sachs Coreia: o preço do DRAM continuará subindo este ano, preços do HBM dispararão no próximo ano e a proporção de contratos de longo prazo será ainda mais ampliada

O Goldman Sachs realizou um seminário online com especialistas sul-coreanos em armazenamento em 28 de julho e publicou a ata em 29 de julho. Os especialistas presentes acreditam que os preços tradicionais de DRAM manterão este ano um forte crescimento de “dois dígitos percentuais”, enquanto o HBM pode ter espaço para aumentos expressivos ou até dobrar os valores no próximo ano. A força dos contratos de longo prazo no mercado está crescendo, e o risco de concorrentes chineses é limitado no curto e médio prazo. A Goldman Sachs mantém a recomendação de compra para Samsung Electronics.

DRAM continuará subindo este ano, HBM pode dobrar no próximo ano

Os especialistas deram uma avaliação clara sobre a tendência de preços do DRAM este ano.

De acordo com o resumo, especialistas esperam que os preços tradicionais de DRAM apresentem um aumento sequencial de “dois dígitos percentuais” no terceiro trimestre de 2026, em linha com a recente recuperação expressiva do preço à vista. Para o quarto trimestre, impulsionado pela escassez contínua de oferta, os especialistas acreditam que “um novo aumento sequencial de dois dígitos” também é possível.

Eles apontam que, como não há aumento significativo na oferta e a demanda de servidores de IA segue forte, os preços sobem facilmente e dificilmente caem.

A situação do HBM é ainda mais agressiva. Os especialistas acreditam que devido à alta dos preços do DRAM tradicional, existe a possibilidade de o preço do HBM dobrar no próximo ano. A própria estimativa da Goldman Sachs é: o preço do HBM da Samsung poderá ter um aumento anual de 87% em 2027, valor que já supera a estimativa consensual do mercado, de 52%, compilada pela Bloomberg.

Força dos contratos de longo prazo cresce, mais da metade dos DRAMs para servidores já estão fixados

A concretização dos preços depende da solidez dos contratos.

Segundo o resumo, especialistas destacam que os acordos de longo prazo (LTA) incluem várias cláusulas restritivas: grandes adiantamentos, cláusulas “take-or-pay” (receber ou pagar) e multas por cancelamento do contrato. Isso significa que, uma vez firmado, o custo de saída para o comprador é muito alto.

Atualmente, mais da metade do DRAM para servidores já está coberta por LTA, e os especialistas esperam que esta proporção continue crescendo.

O que isso significa para as fabricantes de memória? Uma receita mais previsível e mais força na negociação de preços. A Goldman Sachs também indica em seu argumento de investimento que, comparado ao passado, esta rodada de LTA traz restrições mais fortes, apoiando as expectativas de lucro da Samsung.

Fabricantes chinesas pouco ameaçadoras no curto e médio prazo

Há preocupação no mercado quanto ao impacto da ampliação de produção das fabricantes chinesas de memória, mas os especialistas mantêm uma postura cautelosa.

Segundo o resumo, especialistas reconhecem que os fornecedores chineses estão de fato expandindo agressivamente sua produção, mas avaliam que “a possibilidade de que se tornem uma ameaça clara para as líderes de mercado no curto e médio prazo é pequena”, devido à diferença de rendimento produtivo e nível tecnológico frente aos principais players.

Ou seja, expandir capacidade não significa aumento imediato da oferta efetiva; barreiras tecnológicas são difíceis de superar no curto prazo.

Expansão de capacidade acelera, mas crescimento efetivo é limitado

A capacidade produtiva está aumentando, mas o crescimento efetivo da oferta não é proporcional.

Segundo o resumo, especialistas estimam que a velocidade de expansão de capacidade neste ano será superior à média histórica. No entanto, devido à alta relação de uso de wafers pelo HBM (trade ratio)—ou seja, a produção do mesmo volume de HBM consome muito mais wafers de DRAM—o crescimento efetivo de bits deverá ficar abaixo da média histórica.

Esse é o ponto-chave para entender a dinâmica atual entre oferta e demanda: aparentemente a capacidade está aumentando, mas a oferta efetiva de DRAM tradicional não cresce na mesma medida, sendo este o principal motivo estrutural que apoia a alta contínua dos preços.

Tecnologia de ligação híbrida: avanço gradual, não disruptivo

Na evolução do HBM, a ligação híbrida (hybrid bonding) é considerada a próxima geração, mas especialistas têm uma visão cautelosa sobre sua adoção.

De acordo com o resumo, eles avaliam que, à medida que aumenta o número de camadas empilhadas nos chips DRAM, as tecnologias atuais de ligação enfrentarão dificuldades crescentes. Por outro lado, não preveem uma adoção massiva precoce do hybrid bonding, porque “atingir um rendimento suficiente em escala de produção exige muito tempo e esforço”.

A avaliação dos especialistas é que as fabricantes de memória vão explorar múltiplas rotas tecnológicas, incluindo ligação sem fluxo (fluxless bonding), e implementarão gradualmente a ligação híbrida, e não de modo abrupto.

Com base nessas considerações, a Goldman Sachs mantém a recomendação de compra para as ações ordinárias da Samsung Electronics, com preço-alvo de 480 mil won em 12 meses, e 360 mil won para as ações preferenciais.

O relatório aponta que a Samsung já começou a apresentar “avanços significativos” no campo do HBM, além de expectativas maiores de retorno ao acionista, mantendo visão positiva para o papel. Os principais riscos de queda incluem: deterioração significativa da oferta e demanda de memória, contração drástica das margens de smartphones, e perda de participação de mercado em OLED para dispositivos móveis.