韓國存儲產能再擴張,長鑫存儲追趕步伐加快
韓國央行週五發布報告指出,隨著Samsung Electronics及SK hynix積極擴建國內設施,韓國在儲存晶片產能方面的領先優勢有望進一步擴大。
據智通財經APP報導,韓國央行週五發布報告稱,隨著三星電子與SK海力士積極擴建本土設施,韓國在存儲晶片產能方面的領先優勢有望進一步擴大。報告顯示,到2028年,新晶片工廠投產有望使韓國晶圓月產能增加約60萬片。同一時期,中國領先的存儲晶片製造商長鑫存儲的晶圓月產能可能從目前的30萬片提升至60萬片。
長鑫存儲正在建設上海晶圓廠。韓國央行表示,隨著中國廠商提高自給率並強化國內供應鏈,韓國在長期內的市場份額可能面臨日益增長的結構性壓力。
在先進存儲晶片領域,韓國央行 報告預計,韓國在未來數年內仍將保持技術優勢。
據悉,今年6月,韓國政府宣布一項規模至少8,800億美元的長期投資計劃,由三星電子、SK集團和Naver等企業參與,重點布局半導體產能擴張、AI數據中心建設以及實體人工智慧(Physical AI)基礎設施。政府與企業的共同目標,是在五年內將存儲產能翻倍。
市場研究機構Counterpoint Research的最新報告顯示,長鑫存儲於2026年第二季度在全球DRAM市場營收占比達到10%,正式坐穩全球第四大DRAM供應商位置。在頭部廠商方面,三星電子繼續以39%的市場份額保持全球DRAM市場第一;SK海力士份額從去年同期的39%降至26%,但其季度營收同比仍增長了214%。美光以25%的份額緊隨其後。
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